Неэтилированная память IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP CY62256NLL-70PXC

Описание

CY62256N RAM CMOS высокой эффективности статический организованный как слова 32K 8 битами. Легкое расширение памяти обеспечено активным НИЗКИМ обломоком включает (CE) и активный НИЗКИЙ выход позволяет (OE) и tristate водители. Этот прибор имеет автоматическую особенность силы-вниз, уменьшая расход энергии 99,9 процентами отсеиванный.
Активный НИЗКИЙ УРОВЕНЬ написать разрешающий сигнал (МЫ) контролирует сочинительство/деятельность чтения памяти. Когда CE и МЫ входные сигналы обе НИЗКОЙ, данные на 8 штырях вход-выхода данных (I/O0 через I/O7) написаны в участок памяти обращаться к настоящим моментом адреса на штырях адреса (A0 через A14).
Чтение прибора выполнено путем выбирать прибор и включать выходы, CE и НИЗКИЙ УРОВЕНЬ OE активный, пока МЫ остаемся неактивными или ВЫСОКИМИ. В этих условиях, содержание положения обращаться к информацией на штырях адреса присутствует на 8 штырях вход-выхода данных.
Позволены, и пишут штыри вход-выхода остаются в высокоимпедансном государстве если обломок не выбран, выходы позволяют (МЫ) ВЫСОКИ.

Конфигурация Pin

Блок-схема логики CY62256NLL-70PXC

CY62256NLL-70PXC отличает

■Диапазоны температур
Реклама ❐: 0 °C к °C +70
❐ промышленное: – °C 40 к °C +85
❐ автомобильное-: – °C 40 к °C +85
❐ автомобильное-E: – °C 40 к °C +125
■Быстрый ход: 55 ns
■Ряд напряжения тока: 4,5 v до деятельности 5,5 v
■Низкая активная сила
❐ 275 mW (максимальное)
■Низкая резервная сила (версия LL)
❐ 82,5 mW (максимальное)
■Легкое расширение памяти с особенностями CE и OE
■TTL-совместимые входы и выходы
■Автоматическая сила-вниз отсеиванный
■CMOS для наивыгоднейшей скорости и силы
■Доступный в Pb свободном от и не Pb свободном от штыре 28 (600-mil) PDIP,
штырь 28 (300-mil) узкое SOIC, 28 штырь TSOP i, и штырь 28
обратные пакеты TSOP i

Оценки CY62256NLL-70PXC максимальные

Превышение максимальных оценок может повредить полезную жизнь прибора. Эти директивы потребителя не испытаны.
Температура хранения ................................ – 65℃ к +150℃
Температура окружающей среды с 55℃ приложенным силой .......................................... – к +125℃
Подача напряжения к земному потенциалу (штырю 28 для прикалывания 14) ..................................... – 0,5 v до +7,0 v
Напряжение тока DC приложило к выходам в высоком государстве z ................................ -0,5 v к VCC + 0,5 v
Ввод напряжения DC ............................. – 0,5 v до VCC + 0,5 v

Схема данных

Вы можете загрузить схему данных связь, который дали ниже.

                                       Схема данных CY62256NLL-70PXC